Model. ETCH5A
ソフトエッチング装置
- グラフェン・TMDC等の2Dアプリケーション
- PPA・PPMA等のレジスト除去
- テフロン基板などへのダメージレスエッチング
Soft-Etching technology
＜30W（制御精度10mW）低出力RFエッチングによる繊細なエッチングコントロール
ソフトエッチングは、2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマン
チェスター大学のA. ガイム博士率いるグラフェン研究チームとの共同開発技術です。十数年前、Moorfield 社のグ
ラフェン合成装置・エッチングステージを採用以来すでに3 台の装置を活用しており、研究グループの開発には同
社の装置がなくてはならないツールとなっています。又、nanoCVD、nanoETCH はNGI（National Graphene Institute）、GEIC（Grapnene Engineering Innovation Center-Manchester）にも納入されており、2D 研究で幅広く活用されております。
用途
- 2D（遷移金属カルゴネナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）表面改質
- PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去
- テフロン基板などのダメージを受けやすい基板の表面改質、エッチング
- h-BNサイドウオールエッチング*
- SiO2エッチング*
- *『フッ化ガス供給モジュール』オプション要
参考仕様
A. 主仕様
| 1. ウエハーサイズ | Φ3inch（標準）、又はΦ4inch、最大Φ6inch |
|---|---|
| 2. プロセスガス | 最大3系統MFC制御（Ar, O2標準 N2オプション） |
| 3. 真空排気系 | ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ、ワイドレンジゲージ |
| 4. 到達真空度 | 5 x 10-5 pascal |
| 5. オプション | APCプロセス圧力自動制御 DC電源ユニット フッ化ガス供給モジュール（SF6, CHF3） ドライスクロールポンプ |
B. ユーティリティ
| 1. 電源 | 200V 単相 20A |
|---|---|
| 2. プロセスガス | 25psi (0.17Mpa）99.99%推奨 |
| 3. ベントガス | 5-6psi (34-1kpa） |
| 4. 冷却水 | 1L/min, 4bar（400kpa）, 18-20℃ |
| 5. 圧縮空気 | 60-80psi（413-550Kpa） |
C. ソフトウエア（標準付属）
| 1. IntelliDep nanoETCH用ソフトウエア | |
|---|---|
| 2. 設定数 | 最大30レシピ，30ステップのプログラム作成保存可能 |
| 3. IntelliLink Windows PC接続用リモートソフトウエア |
nanoETCHチャンバー
nanoETCH front view