nanoETCH

ソフトエッチング装置 Model. ETCH5A

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グラフェン CVD プラズマCVD ウエハーレベル
グラフェン CVD プラズマCVD ウエハーレベル

 

Model. ETCH5A
ソフトエッチング装置

 

  • グラフェン・TMDC等の2Dアプリケーション
  • PPA・PPMA等のレジスト除去
  • テフロン基板などへのダメージレスエッチング

Soft-Etching technology

<30W低出力RFエッチングによる繊細なエッチングコントロール
低出力制御領域を、制御精度10mWで安定したプラズマコントロールが可能
 
ソフトエッチングは、2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマンチェスター大学のA. ガイム博士率いるグラフェン研究チームとの共同開発技術です。
Moorfield 社のグラフェン合成装置・エッチングステージを採用以来すでに3 台以上の装置が同研究機関で継続稼働しており、研究グループの開発にはnanoETCH、nanoCVDがなくてはならないツールとなっています。又、nanoCVD、nanoETCH はNGI(National Graphene Institute)、GEIC(Grapnene Engineering Innovation Center Manchester)、他欧州各国の国立研究機関にも多数納入されており、2D 研究で幅広く活用されている信頼性の高い装置です。

用途

 

  • 2D(遷移金属カルゴネナイド, 材料転写後のグラフェン剥離)表面改質
  • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去
  • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板の表面改質、エッチング
  • h-BNサイドウオールエッチング*
  • SiO2エッチング*

 

  • *『フッ化ガス供給モジュール』オプション要
グラフェン CVD プラズマCVD ウエハーレベル

nanoETCHチャンバー

グラフェン CVD プラズマCVD ウエハーレベル

nanoETCH front view

参考仕様

A. 主仕様

1. ウエハーサイズ

Φ3inch(標準)、又はΦ4inch、最大Φ6inch

2. プロセスガス

最大3系統MFC制御(Ar, O2標準 N2オプション)

3. 真空排気系

ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ、ワイドレンジゲージ

4. 到達真空度

5 x 10-5 pascal

5. オプション

APCプロセス圧力自動制御

DC電源ユニット

フッ化ガス供給モジュール(SF6, CHF3)

ドライスクロールポンプ

 

B. ユーティリティ

1. 電源

200V 単相 20A

2. プロセスガス

25psi (0.17Mpa)99.99%推奨

3. ベントガス

5-6psi (34-41kpa)

4. 冷却水

1L/min, 4bar(400kpa), 18-20℃

5. 圧縮空気

60-80psi(413-550Kpa)

 

C. ソフトウエア(標準付属)

1. IntelliDep nanoETCH用ソフトウエア
2. 設定数

最大30レシピ,30ステップのプログラム作成保存可能

3. IntelliLink Windows PC接続用リモートソフトウエア