グラフェン CNT ウエハースケール nanoCVD-WGP

ウエハースケール
グラフェン合成装置

ウエハーサイズ対応熱CVD/プラズマCVD装置

基板サイズ：Φ3inch、又はΦ4inch

◉ Model. nanoCVD-WG （熱CVD）
◉ Model. nanoCVD-WGP（プラズマCVD）

nanoCVD-WG 'CVD法'（Chemical Vapor Deposition）

CVD法は、多目的で確立されてきた安定した技術であり、更に将来的にグラフェン，CNTの大量合成を視野に入れた場合最も現実的な手法であることから本機ではCVD法を採用しております。開発元のMoorfield Nanotechnology社は、英国国立研究機関と共同で本成膜実験装置の検証を繰り返してまいりました。研究機関の協力の下、ラマン分光・SEM・AFM等を用い、解析データから良質なグラフェン・CNTサンプルが作成できることが検証されております。

nanoCVD-WPG 'プラズマCVD法'（Plasma-enhanced CVD）

反応が早く、且つ不純物を抑制。清浄・高品質なグラフェンをプラズマの援用でより高速・高スループットのCVD合成方法です。

特徴

コンパクトデザイン：590(W) x 590(D) x 1050(H)mm
Φ3inch、又はΦ4inchウエハースケールグラフェン合成
13.56MHz RF 150Wプラズマ電源（標準）
基板加熱ステージ Max1100℃
コールドウオール法熱CVD
全自動PLCオートシーケンス制御
ユーザーフレンドリーな7"タッチパネルHMI
マルチ成膜レシピ登録・手動/自動運転

nanoCVD-WGP
チャンバー内部

nanoCVD-WGP
加熱ヒーター

参考仕様

*本装置はカスタムメイド品です。仕様協議の上、ご提案致します。
下記装置構成は参考仕様となります。

A. 主仕様

1. 反応室チャンバー	MiniLab-026用 26ℓ容積 SUS304 水冷式
2. 加熱ステージ	セラミック製（アルミナ、又は窒化アルミ、BN）
3. 対応試料サイズ	Φ3inch, 又はΦ4inch
4. 加熱ステージ（ヒートシールド付）	C/Cコンポジット、又はSiCコートヒーター Max1100℃
5. 温度制御	Kタイプ熱電対標準付属（加熱ステージ下設置）

B. プロセス制御機器仕様

1. ガス制御	マスフローコントローラ x 最大4台（Ar, H2, CH4, 他）
2. 圧力制御	20Torr F.S.
3. 真空排気	Edwards社製ターボ分子ポンプ nEXT85D Edwards社製ドライスクロールポンプ nXDS10i付属（10㎥/hr）
4. 操作パネル	前面設置 7inchタッチパネルスクリーン
5. 空冷	冷却ファンによる筐体内部冷却
6. 制御システム	PLC自動プロセスコントロール

C. ソフトウエア（標準付属）

4. IntelliLink Windows PC接続用リモートソフトウエア
1. IntelliDep nanoCVD用ソフトウエア	標準付属（グラフェン用標準プログラムインストール済）
2. インターフェース	USB2.0接続
3. 設定数	最大30レシピ，30ステップのプログラム作成保存可能

D. ガス導入接続仕様

1. プロセスガス	Ar, H2, CH4用　1/4inch Swagelokチューブ接続 x 3
2. キャリアガス	N2, or Ar用　φ6mmプッシュロック式チューブ接続 x 1

E. 安全装置

1. 過昇温	加熱ステージ設置熱電対により制御
2. 筐体内過昇温	内部サーモスイッチより
3. ガス圧異常	マスフローコントローラより
4. 真空度低下	真空センサより

F. ユーティリティー

電源	AC200V 単相 50/60Hz 13A
1. プロセスガス圧力	30psi 200sccm max.
2. キャリアガス圧力	60-80psi

nanoCVD-WGP

ウエハースケールグラフェン合成装置