SH Heater

SHシリーズ 基板加熱ヒーター

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基板加熱ヒーター

SHヒーター Max1100℃

 
高真空, 不活性・活性ガス中での薄膜実験に最適
コストパフォーマンスに優れた高温ヒータ
 

  • NiCrヒーター素線 Inconelプレート(Max850℃)
  • Tungstenヒーター素線 BNプレート/Moカバー(Max1100℃)

 
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「SHシリーズ」Incone/BNプレート基板加熱ヒーターは、プロセスガス・体積物の侵入を防ぐ気密構造ヒーターブロックを採用、CVDなどの薄膜実験に最適です。最高使用温度Max850℃(SH-IN)Max1100℃(SH-BN)、加熱有効エリアφ1.0〜6.1inch。標準で基板固定クリップ(シールドケース表面に固定)、Kタイプシース熱電対を付属、オプションで真空導入フランジ(ICF, VG, NW等)、基板回転機構、ベースフランジ付、基板バイアス仕様なども製作可能です。

基板加熱ヒーター 基板加熱ヒーター

SH-IN 基板クリップ

基板加熱ヒーター 基板加熱ヒーター

SH-IN 端子横取出し

基板加熱ステージ 基板加熱ステージ

SH-IN 回転機構

動画

 
(2inch, 4inch基板加熱ヒーター 回転機構付)

Blue Wave Semiconductors 2 2 inch Substrate rotation with Flange

Building a tiny steampunk "HDMI" display

用途

 

  • 薄膜形成(CVD, スパッタリング, PLD, 真空蒸着他)
  • 薄膜応力解析
  • ダイヤモンド薄膜
  • アニール装置
  • その他

使用発熱体

 

  • NiCr発熱体
  • タングステン発熱体

トッププレート材質

 

  • Inconel600プレート(SH-IN)
  • BNプレート, モリブデンカバー(SH-BN)

主仕様

 

  SH-IN SH-BN
発熱体 Ni-Cr タングステン
トッププレート Inconel 600 BNプレート/Moカバー
ヒートシールド SUS304(標準) SUS304(標準)
最大加熱温度(プレート) 850℃ 1100℃
使用雰囲気 真空中(10-8 Torr〜1000 Torr)
活性ガス、反応性ガス
真空中(10-8 〜10-7 Torr)
不活性ガス、還元性ガス
ヒーター容量 Max 60V, 10A
付属部品 Kタイプシース熱電対(ミニコネクタ or ICFフランジ)✕ 1本
オプション サンプル固定用クランプ・ネジ、真空フランジ、基板回転、上下昇降、バイアス印加

ターゲット・カルーセル(自動ターゲット回転機構)

 

PLD(Pulsed Laser Deposition)1inch, 2inchターゲット x 3個

PLD ターゲット
PLD ターゲット

概要

 

PLD装置用 エキシマレーザのターゲットへの照射を均一にすることができます。

 

  • ターゲットサイズ:1inch, 2inch
  • ターゲット数:最大3個まで
  • 接続フランジ:8inch(ICF203)
  • 自公転可能(切替用公転、ターゲット回転用自転)
  • 19inchラック式専用コントローラ付き