SHヒーター Max1100℃
高真空, 不活性・活性ガス中での薄膜実験に最適
コストパフォーマンスに優れた高温ヒータ
- NiCrヒーター素線 Inconelプレート（Max850℃）
- Tungstenヒーター素線 BNプレート/Moカバー（Max1100℃）
「SHシリーズ」Incone/BNプレート基板加熱ヒーターは、プロセスガス・体積物の侵入を防ぐ気密構造ヒーターブロックを採用、CVDなどの薄膜実験に最適です。最高使用温度Max850℃（SH-IN）Max1100℃（SH-BN）、加熱有効エリアφ1.0〜6.1inch。標準で基板固定クリップ（シールドケース表面に固定）、Kタイプシース熱電対を付属、オプションで真空導入フランジ（ICF, VG, NW等）、基板回転機構、ベースフランジ付、基板バイアス仕様なども製作可能です。
動画
（2inch, 4inch基板加熱ヒーター 回転機構付）
Blue Wave Semiconductors 2 2 inch Substrate rotation with Flange
Building a tiny steampunk "HDMI" display
用途
- 薄膜形成（CVD, スパッタリング, PLD, 真空蒸着他）
- 薄膜応力解析
- ダイヤモンド薄膜
- アニール装置
- その他
使用発熱体
- NiCr発熱体
- タングステン発熱体
トッププレート材質
- Inconel600プレート（SH-IN）
- BNプレート, モリブデンカバー（SH-BN）
主仕様
| SH-IN | SH-BN | |
|---|---|---|
| 発熱体 | Ni-Cr | タングステン |
| トッププレート | Inconel 600 | BNプレート/Moカバー |
| ヒートシールド | SUS304（標準） | SUS304（標準） |
| 最大加熱温度（プレート） | 850℃ | 1100℃ |
| 使用雰囲気 | 真空中（10-8 Torr〜1000 Torr） 活性ガス、反応性ガス |
真空中（10-8 〜10-7 Torr） 不活性ガス、還元性ガス |
| ヒーター容量 | Max 60V, 10A | |
| 付属部品 | Kタイプシース熱電対（ミニコネクタ or ICFフランジ）✕ 1本 | |
| オプション | サンプル固定用クランプ・ネジ、真空フランジ、基板回転、上下昇降、バイアス印加 | |
ターゲット・カルーセル（自動ターゲット回転機構）
PLD（Pulsed Laser Deposition）1inch, 2inchターゲット x 3個
概要
PLD装置用 エキシマレーザのターゲットへの照射を均一にすることができます。
- ターゲットサイズ：1inch, 2inch
- ターゲット数：最大3個まで
- 接続フランジ：8inch（ICF203）
- 自公転可能（切替用公転、ターゲット回転用自転）
- 19inchラック式専用コントローラ付き
SH-IN 基板クリップ
SH-IN 端子横取出し
SH-IN 回転機構