ウエハーアニール装置 Max1000℃
Φ4inch〜Φ6inch基板
高精度APC自動圧力制御
不活性ガス・反応性ガス導入（MFC x 最大3系統）
高均一性 高速昇温 高真空（<5 × 10-7 mbar）ウエハーアニール専用機
| ハロゲンランプヒーター | Max600℃ |
|---|---|
| C/Cコンポジットヒーター | Max1000℃ |
| SiCコーティングヒーター | Max1000℃ |
ハロゲンランプ・C/Cコンポジット・SiCコーティングヒーター採用
ANNEALウエハーアニール装置は、4inchから6inchまでの基板をプロセス雰囲気に合わせて選択可能な3種類のヒーターを設置した加熱ステージ上で均一に、クリーンな環境で加熱処理ができるウエハーアニール専用機です。高精度キャパシタンスマノメータによるMFCのPIDループコントロールでプロセス中の圧力を高精度で一定圧力しながら焼成することができます。
特徴
3種類のヒーター材質
- ハロゲンランプヒーター（Max600℃）
- C/Cコンポジットヒーター（Max1000℃）
- SiCコーティングヒーター（Max1000℃）
高精度圧力制御（APCコントロール）
- 高精度 0.1Torr F.S.キャパシタンスマノメータ
- MFC x 最大3系統
- 高精度ワイドレンジゲージ 10-9〜1000mbar
PLC自動運転
- 7"タッチパネルHMIより操作
- タッチパネルで全ての操作を一元管理
- Windows PC用リモート管理ソフト IntelliLink付属
到達圧力
- <5 × 10-7 mbar
豊富なオプション
- 大気圧制御パッケージ（*真空アニール標準）
- ドライスクロールポンプ
- 基板ホルダー
- 面内温度測定用 追加熱電対
- H2ガス希釈モジュール
概略仕様
| ハロゲンランプヒーター | C/Cコンポジットヒーター | SiCコーティングヒーター | |
|---|---|---|---|
| 最高使用温度 | Max600℃ | Max1000℃ | Max1000℃ |
| 真空チャンバー | SUS304 水冷ジャケット構造（*1000℃）、トップローディング | ||
| 基板サイズ | Φ4inch、又はΦ6inch | ||
| 真空ポンプ | ターボ分子ポンプ + ロータリーポンプ（ドライポンプオプション） | ||
| 真空計 | ワイドレンジゲージ, キャパシタンスマノメーター | ||
| 到達真空度 | <5 × 10-7 mbar | ||
| 熱電対 | C タイプ熱電対 | ||
| HMI | 7inchタッチパネル （*付属ソフトウエアIntelliLinkによりWindows PCへ接続 操作） | ||
| 寸法 | 750(W) x 500(D) x 400(H)mm | ||
| 重量 | 約40kg | ||
7"タッチパネル HMI
バルブ開閉・ゲージ操作・ポンプ起動など、操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル画面で行うことができます。
●ANNEAL制御主ソフトウエア IntelliDep
●付属Windows PCリモート監視ソフト IntelliLink
●タッチパネル：OMRON
| PUMP | WRG設定値、プロセス圧力モニター RP, TMP自動運転 |
|---|---|
| VENT | ベント開始、ドアインターロック |
| PROCESS | ヒーター運転条件の設定 ガス導入条件設定 |
| PROGRAM | 手動運転モード レシピ作成登録→自動運転モード |
| Log保存、故障解析 | CSV出力、グラフ表示 |
特注仕様・オプション
- 大気圧制御パッケージ（*真空アニール標準）
- ドライスクロールポンプ
- 基板ホルダー
- 面内温度測定用 追加熱電対
- H2ガス希釈モジュール
ANNEAL チャンバー内部
ANNEAL
ハロゲンランプステージ
ANNEAL
ハロゲンランプヒーター
ANNEAL
C/Cコンポジットステージ