SHヒーター Max1100℃
高温ヒーター PVD、CVD 真空薄膜用 基板加熱ステージ
コストパフォーマンスに優れた高温 プレートヒーター
高真空, 不活性・活性ガス中での薄膜実験に適しています。
- NiCrヒーター素線 Inconelプレート（Max850℃）
- Tungstenヒーター素線 BNプレート/Moカバー（Max1100℃）
「SHシリーズ」Incone/BNプレート基板加熱ヒーターは、プロセスガス・体積物の侵入を防ぐ気密構造ヒーターブロックを採用、CVDなどの薄膜実験に適した高温プレートヒーターです。最高使用温度Max850℃（SH-IN）Max1100℃（SH-BN）、加熱有効エリアφ1.0〜6.1inch。標準で基板固定クリップ（シールドケース表面に固定）、Kタイプシース熱電対を付属、オプションで真空導入フランジ（ICF, JIS, ISO等）、基板回転機構、ベースフランジ付なども製作可能です。
SH-IN-4" 基板回転
SH-IN-2" フランジ式
SH-IN-1"
アプリケーション
- 薄膜形成（CVD, スパッタリング, 真空蒸着, PLD, 他）
- 真空アニール
- ダイヤモンド薄膜
- 2D, グラフェン合成
- その他
使用環境
- 真空中
- 不活性ガス中（Ar, N2）
- 活性ガス
- 還元性ガス（H2, He）
- 大気
主仕様
| SH-IN | SH-BN | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 加熱範囲 | 1.6inch | 2.2inch | 3.1inch | 4.1inch | 1.6inch | 2.1inch | 4.1inch |
| ヒーター素線 | Ni-Cr | タングステン | |||||
| トッププレート | Inconel 600 | BNプレート/Moカバー | |||||
| ヒートシールド | SUS304（標準） | SUS304（標準） | |||||
| 最高使用温度（プレート） | 850℃ | 1100℃ | |||||
| 使用雰囲気 | 真空中（10-8 Torr〜1000 Torr） 不活性ガス、活性ガス、反応性ガス |
真空中（10-8 〜10-7 Torr） 不活性ガス、還元性ガス |
|||||
| ヒーター容量 | Max 60V, 10A | ||||||
| 付属部品 | Kタイプシース熱電対（ミニコネクタ or ICFフランジ）✕ 1本 | ||||||
| オプション | サンプル固定用クランプ・ネジ、真空フランジ、基板回転、上下昇降、バイアス印加 | ||||||
動画
SH-IN 2.2inch Substrate rotation with Flange
SH-IN 4inch Substrate rotation, Z-shift
SH-IN HFCVD 基板回転
SH-IN 基板回転
温度制御ユニット
- PIDプログラム温度調節計
- DC電源（又は外付トランス 保護ケース付）
- 電流計・電圧計
- インターロック：冷却水断水、チャンバー過昇温、チャンバー開閉、ヒーター回路トリップSW
- 電源ケーブル2m付属
- 制御温度過昇温警報：異常昇温時にヒーター回路停止（温調計での設定）
- 温度制御ユニットボックス寸法：275(W) x 250(D) x 160(H)mm
※ヒーター定格、制御回路構成によっては寸法が異なります。
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PLD ターゲット・カルーセル（ターゲット回転機構）
PLD装置用 エキシマレーザのターゲット照射を均一にすることができます。
上下昇降式
回転セレクタでターゲットを切替え
セレクタ固定後 ターゲット回転でエキシマレーザーを均一に照射
ターゲット設置前
ターゲット設置
側面写真
- ターゲットサイズ：1inch, 2inch
- ターゲット数：最大3個まで
- 接続フランジ：8inch（ICF203）
- 自公転可能（切替用公転、ターゲット回転用自転）
- 19inchラック式専用コントローラ付き
SH-IN 基板クリップ
SH-IN 端子横取出し
SH-IN 回転機構