ウエハースケール
グラフェン合成装置
ウエハーサイズ対応熱CVD/プラズマCVD装置
基板サイズ：Φ3inch、又はΦ4inch
◉ Model. nanoCVD-WG （熱CVD）
◉ Model. nanoCVD-WGP（プラズマCVD）
nanoCVD-WG 'CVD法'（Chemical Vapor Deposition）
CVD法は、既に多目的で確立されてきた安定した技術であり、更に将来的にグラフェン，CNTの大量合成を視野に入れた場合最も現実的な手法であることから本機ではCVD法（コールドウオール式）を採用しております。製造元のMoorfield社は、英国の大学・国立研究機関の協力でで本グラフェン合成装置の開発・検証を繰り返してまいりました。ラマン分光・SEM・AFM等の解析データから良質なグラフェン・CNTサンプルが得られることを実証しております。
nanoCVD-WGP 'プラズマCVD法'（Plasma-enhanced CVD）
反応が早く、且つ不純物を抑制。清浄・高品質なグラフェンをプラズマの援用でより高速・高スループットのCVD合成方法です。
特徴
- コンパクトデザイン：590(W) x 590(D) x 1050(H)mm
- Φ3inch、又はΦ4inchウエハースケールグラフェン合成
- 13.56MHz RF 150Wプラズマ電源（標準）
- 基板加熱ステージ Max1100℃
- コールドウオール法 熱CVD
- 全自動PLCオートシーケンス制御
- ユーザーフレンドリーな7"タッチパネルHMI
- マルチ成膜レシピ登録・手動/自動運転
nanoCVD-WGP
チャンバー外観
nanoCVD-WGP
グラファイトヒーター
nanoCVD-WGP
チャンバー内部
nanoCVD-WGP
プロセスガス4系統
左：Optical microscopy of nanoCVD-8G graphene on SiO2/Si wafer
右：Raman spectrum nanoCVD-8G graphene on Cu substrate
参考仕様
*本装置はカスタムメイド品です。仕様協議の上、ご提案致します。
下記装置構成は参考仕様となります。
| 【基本仕様】 | ||
| 反応室チャンバー | MiniLab-026用 26ℓ容積 SUS304水冷式チャンバー | |
| 加熱ステージ | セラミック（アルミナ、窒化アルミ、BN）又はアルミ | |
| 試料サイズ | Φ3inch, Φ4inch | |
| 基板 | Cu, Ni, etc. (film or foil) | |
| 温度制御 | Kタイプ熱電対付属 PID制御 | |
| 【プロセス制御機器】 | ||
| ガス系統 | MFC x 最大4系統 (Ar, H2, CH4, 他） | |
| 圧力制御 | 手動制御、もしくはアップストリームAPC制御 | |
| プラズマ電源 | RF150W 13.56MHz（標準） | |
| 真空ポンプ | ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ（又はドライスクロールポンプ） | |
| 真空計 | WRGワイドレンジゲージ, キャパシタンスマノメーター | |
| 操作HMI | 7inchタッチパネル、又はWindows PC制御（マウス・キーボード・20"モニター） | |
| ベントシステム | 標準ベントプログラム + 自動パージクリーニング | |
| 【制御ソフトウエア】 | ||
| 主制御 | IntelliDep制御プログラム（TP操作）最大30レシピ・30プログラム登録 グラフェン作成用標準プログラム プリインストール |
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| IntelliNet Windows PCリモート監視ソフトウエア |
USBケーブル接続 ・システムライブモニタリング（運転状態モニター） ・膜厚表示 ・エラー解析 ・オフラインレシピ作成登録 アップロード ・データロギング・CSVフォーマット出力 |
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| 【ユーティリティ】 | ||
| 電源 | 200V 三相 30A 50/60Hz | |
| 冷却水 | 2ℓ/min 18-20℃ 0.2Mpa | |
| プロセスガス | 0.15〜0.17Mpa(99.99%推奨）1/4" Swagelok接続 | |
| 圧縮空気 | 0.4〜0.5Mpa | |
| ベントガス | N2 (99.99%推奨） 35kpa | |
| 外形寸法（mm） | 590(W) x 590 (D) x 1240(H) | |
| 重量（kg） | 約70〜100kg（*部品構成による。ポンプは除く） | |
