Model. ETCH5A
ソフトエッチング装置
◉ グラフェン・TMDC 2次元物質のエッチング
◉ PPA・PPMA等のレジスト除去
◉ テフロン基板などのダメージレスエッチング
◉ h-BN エッチング
◉ SiO2 エッチング
Soft-Etching technology
RF＜30W ローパワーエッチング 制御精度10mWで精密なエッチングコントロールが可能
ソフトエッチングは、2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマンチェスター大学のA. ガイム博士率いるグラフェン研究チームとの共同開発技術です。
Moorfield 社のグラフェン合成装置・ソフトエッチング装置を採用以来既に3 台以上の装置が同研究機関で稼働しており、nanoETCH、nanoCVDは開発に欠かせないツールとなっています。又、nanoCVD、nanoETCH はNGI（National Graphene Institute）、GEIC（Grapnene Engineering Innovation Center, Manchester）他、欧州各国の国立研究機関にも多数納入されており、2D 研究で広く研究成果をあげられている信頼性の高い装置です。
用途
- 2D 遷移金属カルゴネナイド, 材料転写後のグラフェンエッチング除去、表面改質
- PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去
- テフロン基板などのダメージを受けやすい基板の表面改質、エッチング
- h-BNサイドウオールエッチング*
- SiO2エッチング*
- *『フッ化ガス供給モジュール』オプション要
主仕様
| 到達圧力 | 5x10-7mbar (5 x 10-6mbarまで約30分） | |
| チャンバー材質・形状 | SUS304 トップローディング式 | |
| チャンバー寸法・容積 | Φ270 x 140(H) mm 8L | |
| 基板サイズ | Φ3inch（標準）又はΦ4inch、Φ6inch | |
| 基板ステージプレート材質 | アルミニウム | |
| ステージ部 シールド・電源接続 | SUS304（ケース、内部シールド）Nタイプ同軸コネクタ | |
| 真空ポンプ | ターボ分子+ロータリーポンプ（ドライポンプオプション） | |
| 真空計 | WRGワイドレンジゲージ、キャパシタンスマノメータ（オプション） | |
| マスフローコントローラー | 1系統（Ar）+ 追加2系統（N2, O2） | |
| フッ化ガス供給モジュール（オプション） | MFC x 1（SF6, or CHF3） *MFCは合計3系統まで プロセス後自動パージクリーニング |
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| プロセス圧力制御 | MFC流量手動調整、又はAPC自動制御（PIDループ制御） 制御精度1mbar | |
| エッチング電源 | RF30W, 又は80W, 150W(*4"のみ） 13.56MHz自動マッチング付 | |
| エッチング電源制御精度 | 1W（標準）、10mW（オプション） | |
| 電源 | 200V 単相 20A 50/60Hz | |
| 冷却水 | 1ℓ/min 18-20℃ 0.2Mpa | |
| プロセスガス | 0.15〜0.17Mpa (99.99%推奨） | |
| 圧縮空気 | 0.4〜0.5Mpa | |
| ベントガス | N2 (99.99%推奨） 35kpa | |
| 'IntelliLink' Windows PC用リモートソフト | 付属USBケーブルで装置に接続 ・システムライブモニタリング（運転状態モニター） ・エラー解析 ・オフラインレシピ作成登録 アップロード ・データロギング・CSVフォーマット出力 |
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| 外形寸法（mm） | 804 (W) x 504 (D) x 460(H) | |
| 重量（kg） | 約40kg（*部品構成による。ポンプは除く） | |
nanoETCH チャンバー
寸法 804 (W) x 504 (D) x 460(H)mm